🔴 机械强度下降

尖锐的边缘棱角在晶圆传输、清洗及后续堆叠键合过程中极易诱发应力集中。

🔴 裂纹扩展

在超薄状态下（如HBM所需的10-20μm），微小的边缘崩裂（Chipping）极易向晶圆内部扩展，导致晶圆断裂。

🔴 良率损耗

边缘损伤不仅直接破坏Die的完整性，还会在后续工艺中剥落碎屑，造成二次污染。

✅ 去除损伤层

精准移除含有微裂纹的边缘区域，消除潜在的断裂源。

✅ 轮廓成型

根据工艺需求，将晶圆边缘研磨成特定的倒角（Chamfer）或R角轮廓（如G-Type, T-Type, P-Type），消除应力集中点。

✅ 提升崩边控制能力

通过精密轮廓控制，将边缘崩边（Chipping）尺寸限制在工艺规格之内（例如≤20μm），确保Die的完整性。

在2.5D/3D封装（如CoWoS）中，HBM晶圆需减薄至极限厚度并进行多层堆叠。此时，Edge Trim不再是可选项，而是保障堆叠结构机械强度与长期可靠性的必需工序。任何边缘缺陷都可能导致整个堆叠结构的失效。

▶ 高可靠性车规级器件

车规级功率与逻辑器件对边缘质量要求极为严苛。这类晶圆普遍具有高硬度、高脆性特征，传统减薄工艺极易在边缘造成崩豁。通过 Edge Profiling（边缘轮廓加工）配合高性能金刚石砂轮，可在不同材质晶圆上实现稳定的边缘质量控制，满足车规级可靠性标准（如AEC-Q系列）。

                                            12英寸Si晶圆修边设备

高精度崩边控制：稳定将边缘崩边控制在10μm以内；

助力边缘精准修整: 通过设备可靠的结构和精准的控制系统，可精准进行微米级的修边工艺；

强工艺适配能力：针对硅及各类难加工材料，提供可定制的工艺配方，适配不同客户需求。

依托“上海研发+湖州制造”的双核布局，炎基半导体致力于为国内半导体产业链提供具备高性价比与快速响应能力的国产化选择，助力客户攻克超薄晶圆加工的良率瓶颈。